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J-GLOBAL ID：200903057426465113

傾斜機能材料薄膜及び薄膜トランジスタ

Inventor： 松岡 富造 ,  松永 浩二 ,  竹田 守 ,  小林 郁典
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347180
Publication number (International publication number)：1993183162
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 下層配線と上層配線間の短絡を効果的に防止した多層配線を持つ半導体装置を得ること。【構成】 シリコンと酸素と窒素を成分とする絶縁体薄膜3を、酸素と窒素成分に関して、厚さ方向に互いに逆の傾向の濃度勾配をもつ傾斜機能材料薄膜とし、薄膜トランジスタのゲート絶縁層3や他の半導体装置の絶縁層に用いる。

Claim (excerpt)：

シリコンと酸素および窒素を主成分とする絶縁体薄膜であって、薄膜の厚さ方向に対し前記酸素と窒素が互いに逆方向の濃度勾配を持つことを特徴とする傾斜機能材料薄膜。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/318