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J-GLOBAL ID：200903057442492104

半導体装置の製造方法

Inventor： 笹 生一 ,  東 雅彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090303
Publication number (International publication number)：1994302546
Application date： Apr. 19, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 pn接合をなして半導体基板の上面に表出する拡散領域上に低抵抗化層を有し、該基板上の絶縁膜に設けたコンタクト窓を通して拡散領域を導出する配線が設けられる半導体装置の製造方法に関し、コンタクト窓からのイオン注入を行っても、コンタクト窓部分の低抵抗化層を消失させないで配線用導体層の形成ができるようにする。【構成】 上記拡散領域4上に低抵抗化層5を有する半導体基板1上に絶縁膜6を形成する工程、絶縁膜6に低抵抗化層5の一部を露出させるコンタクト窓7を形成する工程、露出している低抵抗化層5を覆う保護膜8を形成する工程、コンタクト窓7から保護膜8を通して基板1に拡散領域4と同一導電型の不純物をイオン注入する工程、その後に保護膜8を除去する工程、然る後に絶縁膜6上にコンタクト窓7を通して拡散領域4と導通する配線用導体層9を形成する工程、を有する構成にする。

Claim (excerpt)：

pn接合をなす拡散領域を上面から適宜な深さに有して、該拡散領域を低抵抗化するための低抵抗化層が該拡散領域上に設けられた半導体基板上に、絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜に該低抵抗化層の一部を露出させるコンタクト窓を形成する工程と、該コンタクト窓内に露出している該低抵抗化層を覆う保護膜を形成する工程と、該コンタクト窓から該保護膜を通して該基板に該拡散領域と同一導電型の不純物をイオン注入する工程と、該イオン注入の後に該保護膜を除去する工程と、然る後に、該絶縁膜上に該コンタクト窓を通して該拡散領域と導通する配線用導体層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/265 H ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 Y