Pat

J-GLOBAL ID：200903057445125145

半導体装置

Inventor： 大島 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993053499
Publication number (International publication number)：1994268146
Application date： Mar. 15, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】半田リフロー時におけるパッケージのクラック耐性の向上を図る。【構成】ダイパッド22の中央部には穴が形成される。半導体素子21は、ダイパッド22上に搭載される。半導体素子21の表面及び裏面には、高密着性材料(例えばポリイミド)24が被覆される。半導体素子21の裏面の一部は露出しているが、その露出部分には高密着性材料24が形成されるため、半導体素子21と封止樹脂23との密着性は良くなっている。なお、ダイボンド材料25は、半導体素子21の裏面とダイパッド22の間にのみ形成される。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子の裏面の一部が露出する状態で当該半導体素子を搭載し得るダイパッドと、前記半導体素子の表面及び裏面の全体に被覆される高密着性材料とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/28