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J-GLOBAL ID：200903057450824744

半導体ROM装置及びそのデータ書き込み方法

Inventor： 武田 実 ,  曽根田 光生 ,  久保田 重夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995056109
Publication number (International publication number)：1996255843
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【構成】 ワード線Lとデータ線DAとのクロス点をアモルファス・シリコンから成るa-Si配線5で結線し、データのパターンに応じて紫外線レーザ光を上記a-Si配線5に対して選択的にスポット照射することによりデータを書き込む。【効果】 半導体ROM装置のターンアラウンドタイムを短縮することができる。

Claim (excerpt)：

2次元的に配置された配線のクロス点を結線することにより構成されるクロスポイント・セル構造の半導体ROM装置において、上記クロス点はアモルファス・シリコンから成る配線で結線され、この配線に対してデータのパターンに応じて紫外線レーザ光が選択的にスポット照射されることによりデータが書き込まれて成ることを特徴とする半導体ROM装置。

IPC (3)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 21/02