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J-GLOBAL ID：200903057454386261

プラズマエッチング装置

Inventor： 藤本 秀樹 ,  松田 彰夫 ,  田辺 正文 ,  砂田 剛 ,  林 俊雄 ,  法元 寛 ,  折田 敏幸
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 宮崎 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991289150
Publication number (International publication number)：1994029249
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】プラズマ中の荷電粒子のチャージアップによる絶縁膜の絶縁耐性を劣化を起こさせることなく、均一なエッチングを行うことを目的とする。【構成】少なくとも一対の電磁石の上部を真空処理槽側に倒して傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形成される平行平板電極間の磁場を基板側に凸状に湾曲させると共に、磁場の凸状に湾曲した頂点と基板の中心とをずらし、更に、磁場および基板の少なくとも一方を回転させたことを特徴とするものである。また、少なくとも一対の電磁石の中心線が平行平板電極間以外のところに存在するように一対の電磁石を配置したものである。

Claim (excerpt)：

真空処理槽内に平行平板電極を対向して上下に配置すると共に、その平行平板電極の一方の電極上に基板を載置し、更に、真空処理槽外に少なくとも一対の電磁石を配置して、一対の電磁石の中間に真空処理槽を位置させ、基板をエッチングするプラズマエッチング装置において、少なくとも一対の電磁石の上部を真空処理槽に倒して一対の電磁石を傾斜させ、少なくとも一対の電磁石によって形成される上記平行平板電極間の磁場を上記基板側に凸状に湾曲させると共に、上記磁場の湾曲した頂点と上記基板の中心とをずらし、更に、上記磁場および上記基板の少なくとも一方を回転させたことを特徴とするプラズマエッチング装置。