Pat
J-GLOBAL ID：200903057456298459
集束イオンビーム照射によるパターン修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102797
Publication number (International publication number)：1996297362
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Nov. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 マスクやレチクル等の所定のパターンが繰り返し形成されているもののパターンを修正する方法に於いて、正規のパターンと修正するパターンとを重合させて、欠陥形状を認識する際に、正確に修正領域を認識させる。【構成】 2値化データにより各パターンを多角形近似し、パターンの輪郭である各辺にピークを有する多値化データを基に、各辺の近傍の多値化データにより回帰直線又は重心から近似した多角形の各辺を修正する。【効果】 パターン修正領域を正確に得ることができる。
Claim (excerpt)：
基板表面に所定のパターンが繰り返し形成されている試料表面に、集束させたイオンビームを走査させながら照射し、前記照射により、前記パターンのうちパターン形状として参照となる参照パターン位置と、前記参照パターンとパターン形状を比較し、パターン欠陥の位置形状を検出し、集束イオンビーム照射により欠陥を修正する修正パターン位置からの試料表面から発生する二次荷電粒子を検出し、前記二次荷電粒子検出器からの信号を所定の閾値により2値化し、前記2値化した信号をビットマップ化し、前記ビットマップから、前記参照パターンの輪郭と前記修正パターンの輪郭をそれぞれ直線より構成される多角形形状に多角形近似し、前記各輪郭の直線を補正するため、前記参照パターンの輪郭と前記修正パターンの輪郭部分にピークを有する、二次荷電粒子信号に基づいた多値化信号を、それぞれの輪郭の直線近傍の多値化信号の各座標位置での強度データから回帰直線を求め、前記回帰直線による補正された直線よる多角形形状に多角形近似し、前記修正された参照パターンと修正パターンとの多角形形状を、重ね合わせ、前記重ね合わされたパターンから、修正パターンの欠陥の位置及び形状を検出し、前記検出された修正パターンの欠陥部のみに集束イオンビームを繰り返し走査させながら照射することによりパターンを修正する集束イオンビーム照射によるパターン修正方法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, C23F 4/02
, H01L 21/027
G03F 1/08 T
, C23F 4/02
, H01L 21/30 502 W
