順次堆積技術を使用して耐熱金属層を堆積させ核生成層を形成させる方法及び装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001192423
Publication number (International publication number)：2002038271
Application date： Jun. 26, 2001
Publication date： Feb. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】基体フィーチャ上に耐熱金属層を形成させる方法及びシステムを提供する。【解決手段】基板を第1及び第2の反応性ガスに連続して曝す順次堆積技術を使用して基板に核形成させる。その後に、蒸着を使用し、上記核形成層を第1及び第2の反応性ガスの一方内に含まれる化合物のバルク堆積に曝して層を形成させる。このプロセスは、全てのプロセスステップを共通チャンバ内で遂行することも、または異なるチャンバ内で遂行することもできる。例えば、核形成は、バルク堆積を遂行する処理チャンバとは異なる処理チャンバ内で遂行することができる。また、得られた層内のフッ素原子の存在を、核形成中に使用されるキャリヤーガスの関数として制御するための技術も開示される。

Claim (excerpt)：

処理チャンバ内に配置されている基板上に層を形成させるための方法であって、上記基板を、第1及び第2の反応性ガスに連続して曝すことによって核形成層を形成させるステップと、蒸着を使用し、上記核形成層を上記第1及び第2の反応性ガスの一方内に含まれる化合物のバルク堆積に曝し、上記核形成層のトップにバルク堆積層を形成させるステップと、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

C23C 16/44 , H01L 21/285

FI (2)：

C23C 16/44 A , H01L 21/285 C

F-Term (14)：

4K030AA04 , 4K030AA07 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030BA20 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD44 , 4M104DD45

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高融点金属膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-263805 Applicant：ソニー株式会社
ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-035742 Applicant：ソニー株式会社
金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237054 Applicant：株式会社東芝

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