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J-GLOBAL ID：200903057464427780

GaN系半導体素子の製造方法

Inventor： 加藤 久喜 ,  小出 典克
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064360
Publication number (International publication number)：1999251632
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ELO法においてパターン層の上に形成されるGaN系半導体の横方向の成長速度を向上させる。【解決手段】 パターン層上にELOによりGaN系半導体層を成長させる際のキャリアガスとして窒素ガスを用いる。

Claim (excerpt)：

窒素ガスをキャリアガスとするELO(Epitaxial LateralOvergrowth)により下地層を形成する、ことを特徴とするGaN系半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• GaN系半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-327927   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特公平3-031678
  

Cited by examiner (2)

• GaN系半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-327927   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 特公平3-031678