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J-GLOBAL ID：200903057468703065

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 上田 茂幸
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279073
Publication number (International publication number)：1993121428
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層にα型炭化珪素、ベース層に多結晶炭化珪素を使用したもので耐熱性に優れた、高速のバイポーラトランジスタを提供する。【構成】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタは、一導電型α型SiC層と、該一導電型α型SiC層上に積層した他導電型多結晶炭化珪素層と、該他導電型多結晶炭化珪素層上に多数の独立して形成した一導電型多結晶炭化珪素層とからなり、前記一導電型α型SiC層をエミッタ領域、他導電型多結晶炭化珪素をベース領域、一導電型多結晶炭化珪素層をコレクタ領域としてヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。

Claim (excerpt)：

一導電型α型SiC層上に他導電型多結晶炭化珪素層を積層し、かつ該他導電型多結晶炭化珪素層上に多数の孤立した一導電型多結晶炭化珪素層を形成して、前記一導電型α型SiC層をエミッタ領域、他導電型多結晶炭化珪素をベース領域、一導電型多結晶炭化珪素層をコレクタ領域に構成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/165