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J-GLOBAL ID：200903057481534965
シリコン窒化膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994003149
Publication number (International publication number)：1995206410
Application date： Jan. 17, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 膜質が安定したシリコン窒化膜を低温焼成により形成することが可能な方法を提供しようとするものである。【構成】 基板上にペルヒドロ系ポリシラザン溶液を塗布した後、UV照射を行いながら焼成することを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板上にペルヒドロ系ポリシラザン溶液を塗布した後、UV照射を行いながら焼成することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
IPC (3)：
C01B 21/068
, B01J 19/12
, H01L 21/318
