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J-GLOBAL ID：200903057485201812
SiC単結晶の成長方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264188
Publication number (International publication number)：1995097299
Application date： Sep. 28, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 結晶欠陥の少ない良質のSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 {0001}面に垂直な結晶面を使用する昇華再結晶法において、溶融KOHエッチングによって種結晶表面を除去する方法。
Claim (excerpt)：
種結晶としてSiC単結晶の{0001}面に垂直な結晶面を使用する昇華再結晶法において、前記種結晶の結晶表面を溶融KOHエッチングによって除去することを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/36
, C04B 41/91
, C30B 23/02
, H01L 21/308
