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J-GLOBAL ID:200903057488953556
ポジ型電着フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小田島 平吉 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993125501
Publication number (International publication number):1994313136
Application date: Apr. 27, 1993
Publication date: Nov. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高解像度で、微細画像パターン形成能に優れたポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの製造方法を提供する。【構成】 A)カルボキシル基を含有する重合体、B)ヒドロキシフェニル基を含有する重合体、C)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物をA)とB)の合計量100重量部に対して5〜150重量部、及びD)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)とC)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含有し、A)/B)=90/10〜10/90(重量比)であり、かつA)〜D)よりなる混合物中のカルボキシル基含有量が混合物1kgあたり0.5〜5.0当量、ヒドロキシフェニル基含有量が0.5〜7.0当量である組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの製造方法。
Claim (excerpt):
A)カルボキシル基を含有する重合体、B)ヒドロキシフェニル基を含有する重合体、C)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物をA)とB)の合計量100重量部に対して5〜150重量部、及びD)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)とC)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含有し、A)/B)=90/10〜10/90(重量比)であり、かつA)〜D)よりなる混合物中のカルボキシル基含有量が混合物1kgあたり0.5〜5.0当量、ヒドロキシフェニル基含有量が0.5〜7.0当量である組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したことを特徴とするポジ型電着フォトレジスト組成物。
IPC (7):
C09D 5/44 PRL
, C09D 5/44 PRG
, C09D 5/44 PRN
, C09D201/08 PDG
, G03F 7/038
, G03F 7/039 501
, H05K 3/00
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