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J-GLOBAL ID：200903057494638867

半導体レーザ

Inventor： 松岡 直之
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232501
Publication number (International publication number)：1994085384
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】この発明は、発振しきい値が小さく、かつ組立て,使用が容易で高出力であることを主要な目的とする。【構成】基板と、この基板上に形成され、活性層を含むエピタキシャル層と、このエピタキシャル層上に形成された電極とを具備する半導体レーザにおいて、前記電極が、前記エピタキシャル層の共振器端面近傍に設けられた金属製の第1の電極と、第1の電極を除く前記エピタキシャル層上に形成された第2の電極とからなり、第1・第2の電極の材料の金属の仕事関数の差もしくは両電極とエピタキシャル層の接触抵抗の差を利用して、共振器端面近傍とその他の部分の電流密度を変えた構成の半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成され、活性層を含むエピタキシャル層と、このエピタキシャル層上に形成された電極とを具備する半導体レーザにおいて、前記電極が、前記エピタキシャル層の共振器端面近傍に設けられた金属製の第1の電極と、この第1の電極を除く前記エピタキシャル層上に形成され、仕事関数が前記第1の電極の仕事関数より大きい金属製の第2の電極とから構成されることを特徴とする半導体レーザ。