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J-GLOBAL ID:200903057498634467

低屈折率膜、低反射膜、及び低反射帯電防止膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 泉名 謙治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992098910
Publication number (International publication number):1993270864
Application date: Mar. 25, 1992
Publication date: Oct. 19, 1993
Summary:
【要約】【構成】SiアルコキサイドとZr(C5 H7 O2 )n (OR)m を含む塗布液を塗布後、加熱かつ/又は紫外線照射により低屈折率膜を形成する。ガラス基体上に、SnO2 :Sb等の導電性微粒子を含みTiO2 等からなる導電性高屈折率層を形成した後、上記方法で低屈折率膜を形成して、2層からなる低反射帯電防止膜を製造する。【効果】耐擦傷性に優れた低反射帯電防止膜を提供できる。
Claim (excerpt):
Si化合物とZr(C5 H7 O2 )n (OR)m (但しn+m=4,n=1〜3,m=1〜3,R:C1 〜C4 のアルキル基)を含む塗布液を基体上に塗布した後、加熱かつ/又は紫外線照射により形成された低屈折率膜。
IPC (4):
C03C 17/25 ,  G02B 1/10 ,  H01J 29/28 ,  G02B 5/28

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