Pat

J-GLOBAL ID：200903057503970802

半導体装置

Inventor： 小里 貞二郎
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008418
Publication number (International publication number)：1998209154
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ポリイミド表面の耐電圧劣化が無く、信頼性の高い実装が可能となるバンプを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 入出力端子にハンダバンプ7を備えた半導体装置において、チップに形成される素子保護用ポリイミド樹脂膜4と、このポリイミド樹脂膜4上に入出力端子周辺を除く全面に被覆される金属膜5を設ける。

Claim (excerpt)：

(a)チップに形成される素子保護用ポリイミド樹脂膜と、(b)該ポリイミド樹脂膜上に入出力端子周辺を除く全面に被覆される金属膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 602 Z