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J-GLOBAL ID：200903057505074189

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 奥野山 輝
Applicant, Patent owner： 東芝ケミカル株式会社
Agent (1)： 諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180148
Publication number (International publication number)：1993003218
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、回路基板上のベアチップを樹脂封止する樹脂封止型半導体装置に関し、チップの剥離・クラックなどの防止をはかるものである。【構成】 この発明は、回路基板上に半導体素子を接着固定し、半導体素子の電極と回路基板の回路部とをワイヤボンディングし、(A)無水マレイン酸とジアミノシロキサンから誘導されるビスマレイミドおよび(B)1,2-ポリブタジエンのエポキシ化物を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物で、半導体素子及びその周辺部を封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置である。

Claim (excerpt)：

回路基板上に半導体素子を接着固定し、半導体素子の電極と回路基板の回路部とをワイヤボンディングし、(A)一般式化1で示されるジアミノシロキサンから誘導されるビスマレイミドおよび【化1】(但し、式中R1 及びR2 は2 価の炭化水素基を、R3 及びR4 は1 価の炭化水素基を示し、R1 とR2 、R3 とR4 は、互いに同一でも異なってもよく、nは1〜5 の整数を表す)(B)構造式化2で示される1,2-ポリブタジエンのエポキシ化物【化2】を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物で半導体素子及びその周辺部を封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/56 ,  C08G 59/34 NHV ,  C08G 59/40 NKG ,  C08L 63/00 NKB ,  H01L 23/12