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J-GLOBAL ID：200903057509773871

半導体装置の製造方法

Inventor： 中 村 謙 二
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991046501
Publication number (International publication number)：1993259468
Application date： Mar. 12, 1991
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 フローティングゲートの中間酸化膜に局所的に薄い部分がないようにし、中間酸化膜の絶縁耐圧を向上させ、EPROM,EEPROMなどの書き込み特性、保持特性、信頼性が向上することを目的とする。【構成】 フローティングゲート形成工程において、多結晶シリコン層を堆積し、この多結晶シリコン層を平滑化し、中間酸化膜を成膜し、中間酸化膜の上にコントロールゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、全面に二酸化珪素層を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

フローティングゲート形成工程において、ゲート酸化膜の上にフローティングゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、この多結晶シリコン層を平滑化し、中間酸化膜を成膜し、中間酸化膜の上にコントロールゲートとしての多結晶シリコン層を堆積し、全面に二酸化珪素層を堆積することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-031467
  
• 特開平2-237076
  
• 特開平1-226158
  
• 特開昭61-040929