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J-GLOBAL ID：200903057520368644

光検出器

Inventor： 和田 一実 ,  石川 靖彦
Applicant, Patent owner： 和田 一実
Agent (2)： 岡田 賢治 ,  今下 勝博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006322861
Publication number (International publication number)：2008140808
Application date： Nov. 30, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】本願発明では、Si集積回路の作製プロセスとの整合がよく、1μm以上の波長でも感度を有し、高速で動作する光検出器を提供することを目的とする。【解決手段】本願発明は、光吸収層をGeとし、真性半導体層をSiで構成するPIN構造の光検出器とした。具体的には、極性のあるSi半導体層11と、真性Si半導体層12と、前記Si半導体層11と逆極性のGe半導体層13と、が順に積層されている光検出器1である。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

極性のあるSi半導体層と、 真性Si半導体層と、 前記Si半導体層と逆極性のGe半導体層と、 が順に積層されている光検出器。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (12)：

5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NB01 ,  5F049NB07 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F049QA08 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• シリコン系発光受光素子およびその製造方法およびシリコン系光電気集積回路およびシリコン系光電気集積回路システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-194702   Applicant：シャープ株式会社