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J-GLOBAL ID：200903057539948919

真空処理装置

Inventor： 河東 進 ,  山口 博史
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  テル・バリアン株式会社 ,  テル・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 金坂 憲幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995168142
Publication number (International publication number)：1996339948
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 被処理体の汚染および塵埃の発生を防止して歩留りの向上が図れる真空処理装置を提供する。【構成】 被処理体Wに所定の処理を施す真空処理室41A〜41Cに大気圧復帰可能な真空予備室11A,11Bを接続し、この真空予備室11A,11B内に処理後の被処理体Wを冷却する冷却台17を備えた真空処理装置において、上記冷却台17にその上面より所定の隙間sを隔てて上記被処理体Wを支持する支持体20を設けている。これにより、処理後の被処理体Wを冷却台17に直接接触させずに冷却することが可能になるため、被処理体Wの汚染および塵埃の発生を防止することが可能になり、歩留りの向上が図れる。

Claim (excerpt)：

被処理体に所定の処理を施す真空処理室に大気圧復帰可能な真空予備室を接続し、この真空予備室内に処理後の被処理体を冷却する冷却台を備えた真空処理装置において、上記冷却台に所定の隙間を隔てて上記被処理体を支持する支持体を設けたことを特徴とする真空処理装置。