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J-GLOBAL ID:200903057554646724
マレイミド系単量体とその製造方法、脂肪族環状オレフィン系単量体とその製造方法、共重合体樹脂とその製造方法、フォトレジストとその製造方法、および半導体素子
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998293899
Publication number (International publication number):1999228536
Application date: Oct. 15, 1998
Publication date: Aug. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 2.38%TMAH現像液に耐える物性を有し、しかも、高い接着性を有するフォトレジストを提供する。【解決手段】 一般式(1)のマレイミド系単量体の少なくとも一つから得られる、共重合体樹脂を含有するフォトレジストである。【化1】前記式中、Rは炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換されたアルキル基や、炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換された1級、2級あるいは3級アルコール基や、炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換されたジオール基を示す。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるマレイミド系単量体。【化1】前記式中、Rは炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換されたアルキル基、炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換された1級、2級、または3級アルコール、炭素数1〜10の主鎖あるいは側鎖が置換されたジオールを示す。
IPC (10):
C07D207/448
, C07C 51/347
, C07C 61/29
, C07C 69/753
, C07D207/452
, C08F222/06
, C08F222/40
, C08F232/04
, C08F232/08
, G03F 7/039 601
FI (10):
C07D207/448
, C07C 51/347
, C07C 61/29
, C07C 69/753 C
, C07D207/452
, C08F222/06
, C08F222/40
, C08F232/04
, C08F232/08
, G03F 7/039 601
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平2-268156
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ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-099967
Applicant:富士通株式会社
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光重合性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-348644
Applicant:日本油脂株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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1.3.2エステルの加水分解
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Velocity of reaction in mixed solvents. VII. The influence of the base on the velocity of saponifica
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