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J-GLOBAL ID：200903057554920940

薄膜パターンの形成方法

Inventor： 岸本 達也
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Agent (1)： 根本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055209
Publication number (International publication number)：1995240535
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】 基板上1のLED2を覆う窒化シリコン膜4を酸化シリコン膜5により覆い、この酸化シリコン膜5に塗布したポジレジスト20の一部分を感光させる。このポジレジスト20の感光部分を現像により除去して形成したレジストパターンを用いたエッチング工程により、前記窒化シリコン膜4と酸化シリコン膜5とを貫通するコンタクトホール9のパターンを形成する。このパターン形成後に残存したポジレジスト20の一部分を感光させ、このポジレジスト20の感光部分を現像により除去してレジストパターンを形成する。そのレジストパターンを用いたリフトオフ工程によりLED2に接続する電極6のパターンを形成する。【効果】 薄膜パターンの形成工程を簡略化できる。

Claim (excerpt)：

薄膜に塗布したポジレジストの一部分を露光により感光させ、このポジレジストの感光部分を現像により除去して形成したレジストパターンを用いたエッチングにより薄膜パターンの形成を行ない、このパターン形成後に残存したポジレジストの一部分を露光により感光させ、このポジレジストの感光部分を現像により除去して形成したレジストパターンを用いたリフトオフ工程により薄膜パターンの形成を行なうことを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28