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J-GLOBAL ID：200903057594688055

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置

Inventor： 福 澤 英 明 ,  上 口 裕 三 ,  鴻 井 克 彦 ,  中 村 新 一 ,  吉 川 将 寿 ,  橋 本 進 ,  佐 橋 政 司 ,  岩 崎 仁 志 ,  斉 藤 和 浩 ,  福 家 ひろみ
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000101511
Publication number (International publication number)：2000332318
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 バイアスポイントの設計が容易で、高感度且つ高信頼性を有する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】 スピンバルブにおいて、フリー層は、印加磁界がゼロの時に前記第2の強磁性体層の磁化方向に対してある角度を成す磁化方向を有し、固着層は、相互に反強磁性的に結合された一対の強磁性体膜とこれらを反強磁性的に結合する結合膜とを含み、さらに、固着層の一対の強磁性体膜のいずれか一方の磁化を所望の方向に維持する手段と、前記第1の強磁性体層と前記非磁性スペーサ層とが接する膜面と反対側の面にて第1の強磁性体層に接する非磁性高導電層と、を設けることにより、良好なバイアスポイントを維持しつつ、極めて感度の高い磁気抵抗効果素子を実現することができる。

Claim (excerpt)：

非磁性中間層を介して配置された少なくとも一対の磁化固着層・磁化自由層と前記磁化固着層に積層された前記磁化固着層の磁化を固着するための反強磁性層とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記反強磁性層は、厚みが20nm以下のZxMn1-x(ZはPt、Pd、Niから選ばれた少なくともいずれかであり、0.4≦x≦0.7)からなり、前記磁化固着層は、前記非磁性中間層側に設けられた強磁性層Aと前記反強磁性層側に設けられた強磁性層Bとからなる一対の強磁性層が磁気結合層を介して反強磁性結合されてなり、前記強磁性層A及びBの厚みは、それぞれ3nm以下であり、前記強磁性層Bの磁気膜厚は、前記強磁性層Aの磁気膜厚よりも薄いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/32

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/06 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/32