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J-GLOBAL ID：200903057597811796

単一電子素子、および半導体記憶装置、ならびにその製造方法

Inventor： 峰 利之 ,  矢野 和男 ,  石井 智之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133089
Publication number (International publication number)：1996330566
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】100nm以下の幅の多結晶Si膜のチャネル層を容易に形成できる構造の単一電子素子、半導体記憶装置、ならびにその製造方法を提供する。【構成】単一電子素子は、ソースとドレインに接続された薄い多結晶シリコン膜のチャネル層を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、ソースとドレインをまたぎ、かつチャネル層の幅に相当する厚さの絶縁膜を有して、その側壁にチャネル層を形成した構造を備え、また半導体記憶装置は、複数のデータ線と、これに交叉するワード線と、その交叉する位置に記憶素子を有するメモリアレー構成の半導体記憶装置において、記憶素子に上記単一電子素子の構成を備え、かつ該単一電子素子のソースとドレインをそれぞれ隣合うデータ線に接続し、ゲートをワード線に接続した構成を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ソースとドレインに接続された薄い多結晶シリコン膜のチャネル層を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしての単一電子素子において、上記ソースとドレインをまたぎ、かつチャネル層の幅に相当する厚さの絶縁膜を有し、その側壁に上記チャネル層を形成したことを特徴とする単一電子素子。

IPC (7)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/78

FI (7)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 29/78 301 J