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J-GLOBAL ID：200903057613304816

ナノクリスタル構造体

Inventor： エイスラー ハンス ジェイ. ,  サンダー ビクラム シー. ,  ワルシュ ミカエル イー. ,  クリモブ ビクター アイ. ,  バウエンディ モンギ ジー. ,  スミス ヘンリー アイ.
Applicant, Patent owner： マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー ,  ザ レゲンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
Agent (1)： 石川 徹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003545469
Publication number (International publication number)：2005512308
Application date： Nov. 18, 2002
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】なし【解決手段】 回折格子(43)、及び該回折格子(43)の上に半導体ナノクリスタル層を含む構造体であって、レーザー(10)になり得る。該半導体ナノクリスタル層は、II-VI族の化合物を含む複数の半導体ナノクリスタル(32)を含み得、該ナノクリスタル(32)は、金属酸化物マトリックス(33)中に分布している。該回折格子(43)は、200nm〜500nmの周期性を有することができる。

Claim (excerpt)：

200 nmから500 nm に周期性を有する回折格子、及び該回折格子に配置された半導体ナノクリスタルの層を含む構造体。

IPC (3)：

H01S5/12 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06

FI (3)：

H01S5/12 ,  B82B1/00 ,  H01L29/06 601N

F-Term (4)：

5F173AB13 ,  5F173AB90 ,  5F173AH31 ,  5F173AH48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-112391
  
• 光電子材料及びその応用デバイス、並びに光電子材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-227816   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-112584