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J-GLOBAL ID：200903057615338319

現像程度測定用パターンを具備したフォトマスクおよび現像程度の測定方法

Inventor： ホァン ジュン
Applicant, Patent owner： ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリイズ カンパニー リミテッド
Agent (1)： 長谷 照一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994290153
Publication number (International publication number)：1995253657
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体素子の製造工程に使用するフォトマスクに、現像程度測定用パターンを具備して、ウェハの互いに異なる部位における現像程度の測定を容易にする。【構成】 フォトマスク中央の所定領域を二等分して、等分された一方の領域にはポジ型ドットパターンを、他の領域にはネガ型ドットパターンを、フォトマスク形成物質と同一の物質で多数個形成し、ドットパターンの大きさを両領域で各対として対応させながら上下および左右方向に次第にを異ならせる。このようなパターンを含む現像程度測定用パターンを用いることにより、現像器の現像均一程度の点検が容易かつ迅速になり、複数の現像器同士の現像程度の調整が必要な場合に、その調整が容易になる。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィ工程に使用するフォトマスクであって、フォトマスク中央の所定領域を実質的に二等分して、二等分された一方の領域にはポジ型のドットパターンを、他方の領域にはネガ型のドットパターンを、フォトマスク形成物質と同一の物質で多数個形成し、該ドットパターンの大きさを両領域で各対として対応させながら上下および左右方向に順次異ならせてなる現像程度測定用パターンを具備することにより、現像程度を測定できるようにしたことを特徴とするフォトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 569 G