薄板状ウエハの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999275428
Publication number (International publication number)：2001102332
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体結晶インゴットをワイヤソー切断装置により切断したときに得られる薄板状ウエハに発生する加工変質層のクラック深さを顕著に浅くでき、それによってラッピング研磨を省略して直接両面鏡面加工を行ってもそれらのクラックを迅速且つ容易に消滅させながら鏡面研磨でき、その結果薄板状ウエハの生産性、歩留を顕著に上げることができる薄板状ウエハの製造方法を提供すること。【解決手段】微細径砥粒を有する研磨液を噴霧しながら半導体結晶インゴットをワイヤソー切断装置により切断することにより複数枚の薄板状ウエハを切り出した後該切り出した薄板状ウエハを両面鏡面研磨装置により両面鏡面研磨し、然る後該両面鏡面研磨した薄板状ウエハを仕上げ研磨装置により仕上げ研磨することを特徴とする薄板状ウエハの製造方法にある。

Claim (excerpt)：

微細径砥粒を有する研磨液を噴霧しながら半導体結晶インゴットをワイヤソー切断装置により切断することにより複数枚の薄板状ウエハを切り出した後、該切り出した薄板状ウエハを両面鏡面研磨装置により両面鏡面研磨し、然る後、該両面鏡面研磨した薄板状ウエハを仕上げ研磨装置により仕上げ研磨することを特徴とする薄板状ウエハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 611 , B24B 27/06

FI (2)：

H01L 21/304 611 A , B24B 27/06 D

F-Term (6)：

3C058AA05 , 3C058AC04 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA03 , 3C058DA17

Return to Previous Page