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J-GLOBAL ID：200903057647249660

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Inventor： 宮永 隆史
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995176467
Publication number (International publication number)：1997027495
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】グローバルな段差に対しても平坦化できる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【構成】基板2の上部に塗布液を塗布して塗布膜10,11を形成する工程と、塗布膜の上部に有機化合物からなる薄膜フィルム3を敷設する工程と、薄膜フィルム上から塗布膜を均一に加圧する工程とを有する。薄膜フィルムは、加圧工程の後にエッチングにより除去することができ、あるいは加圧工程の後に、塗布膜および塗布膜の下部に形成された絶縁膜と共にエッチバックすることにより除去することもできる。

Claim (excerpt)：

基板の上部に塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜の上部に薄膜フィルムを敷設する工程と、前記薄膜フィルム上から前記塗布膜を均一に加圧する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P