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J-GLOBAL ID：200903057659391225
端面発光型発光ダイオードアレイ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992126322
Publication number (International publication number)：1993327015
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】高密度で光取出し効率の高い端面発光型発光ダイオードアレイを提供する。【構成】本発明の端面発光型発光ダイオードアレイは、半導体基板11上にエピタキシャル成長された少なくとも発光ダイオードの発光層14を含む結晶成長層と、少なくとも該発光層14を発光させるための電極17,18とを含む積層構造より成り、積層端面22より光出力23が得られる端面発光型発光ダイオード2を、等間隔に設けた半導体基板11を貫通しない深さの複数の分離溝24により各層を電気的・空間的に分離して形成し、かつ端面発光型発光ダイオード2を複数個含むように半導体基板11を切断して形成した端面発光型発光ダイオードアレイチップ1上の、積層面に平行で、発光ダイオード2の発光層14のアレイ方向に垂直な方向の長さLとアレイ方向の長さWとの比が、L/W≦1の関係を満たしていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にエピタキシャル成長された少なくとも発光ダイオードの発光層を含む結晶成長層と、少なくとも該発光層を発光させるための電極とを含む積層構造より成り、積層端面より光出力が得られる端面発光型発光ダイオードを、等間隔に設けた前記半導体基板を貫通しない深さの複数の分離溝により各層を電気的・空間的に分離して形成し、かつ、前記端面発光型発光ダイオードを複数個含むように前記半導体基板を切断して形成した端面発光型発光ダイオードアレイチップ上の、積層面に平行で、前記発光ダイオードの発光層のアレイ方向に垂直な方向の長さLと、アレイ方向の長さWとの比が、L/W≦1の関係を満たしていることを特徴とする端面発光型発光ダイオードアレイ。
IPC (4)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
