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J-GLOBAL ID：200903057665402620

パターンマッチング方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 大久保 雄仁
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通エルエスアイテクノロジ株式会社
Agent (1)： 平戸 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994049088
Publication number (International publication number)：1995263482
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】量子化された被照合パターンの量子化された基準パターンに対する整合性を評価するパターンマッチング方法に関し、信頼性の高い評価結果を得ることができるようにする。【構成】基準パターンの白画素及び黒画素の数を集計し、白画素の重み付け係数GW(全画素の数/白画素の数)及び黒画素の重み付け係数GB(全画素の数/黒画素の数)を求めた後、被照合パターンと基準パターンとを比較し、一致する白画素の数及び一致する黒画素の数を求め、白画素の一致度PW(一致する白画素の数×GW)及び黒画素の一致度PB(一致する黒画素の数×GB)を求め、被照合パターンの基準パターンに対する一致度Z([PW+PB]/2)を求め、この一致度Zにより、被照合パターンの基準パターンに対する整合性を評価する。

Claim (excerpt)：

量子化された被照合パターンと、量子化された基準パターンとを比較し、状態種別ごとに、状態種別が一致する量子化単位の数を求め、状態種別ごとに、状態種別が一致する量子化単位の数に所定の重み付け係数を乗し、その結果を状態種別の数で平均した値により、前記量子化された被照合パターンの前記量子化された基準パターンに対する整合性を評価することを特徴とするパターンマッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/60 301 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/50

FI (2)：

G06F 15/62 405 A ,  G06F 15/70 460 A