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J-GLOBAL ID：200903057675724196

電界効果トランジスタ

Inventor： 神山 博幸
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271600
Publication number (International publication number)：1994124965
Application date： Oct. 09, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 小さなドレインコンダクタンスを有する高電子移動度トランジスタを提供する。【構成】 半絶縁性InP半導体基板11上には、バッファ層12,チャネル層13,スペーサ層14,キャリア供給層15,キャップ層16が順に積層されている。ゲート領域にはリセスが形成されており、このリセスに露出したキャリア供給層15にショットキ接触してゲート電極17が形成されている。また、このゲート電極18を挟んだオーミック領域にもリセスが形成されており、このリセスにはチャネル層13が露出している。ドレイン電極18,ソース電極19は露出したこのチャネル層13にオーミック接触して形成されている。

Claim (excerpt)：

エネルギバンドギャップの小さい化合物半導体からなるチャネル層と、このチャネル層上に形成されたエネルギバンドギャップの大きい化合物半導体に不純物を含んでなるキャリア供給層とから構成された変調ドープ構造を備えた電界効果トランジスタにおいて、オーミック電極は、前記電子供給層のオーミック領域が除去されて露出した前記チャネル層上に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F