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J-GLOBAL ID：200903057687239811

光半導体装置

Inventor： 高橋 望
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117489
Publication number (International publication number)：1993152606
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 外光を吸収または乱反射させ視認性が高い光半導体装置の提供を目的とする。【構成】 プリント基板11と、前記プリント基板上に所定の配列で配列された複数のLEDランプ12と、前記プリント基板及びLEDランプとを収納する外囲器13と、前記プリント基板上及び前記外囲器と前記LEDランプとの間に充填され、該発光素子を前記基板及び外囲器との間に固定するための第1の樹脂層14と、前記樹脂層上に形成された第2の樹脂層15から構成され、前記第2の樹脂層は、その露出表面が入射してくる外光を乱反射させるように微細な凹凸の形状で形成されていることを特徴とした構成を有する光半導体装置。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に所定の配列で配列された複数の発光素子と、前記基板および発光素子を収納する外囲器と、前記基板上および前記外囲器と前記発光素子との間に充填され、該発光素子を前記基板および外囲器との間に固定するための第1の層と、前記第1の層上に形成された第2の層から構成され、前記第2の層は、その露出表面が入射してくる外光を乱反射させるように微細な凹凸の形状で形成されていることを特徴とする光半導体装置。