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J-GLOBAL ID：200903057697201286

水素ガス検知センサ

Inventor： 平中 弘一 ,  山田 修 ,  畑山 健
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005358749
Publication number (International publication number)：2007163253
Application date： Dec. 13, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：

【課題】触媒の耐被毒性を向上させ、基板加熱することなく,低消費電力で、高感度、高速応答性を有する水素ガス検知センサを提供する【解決手段】水素ガスセンサであって、半導体基板1上に形成される一対の電極5a、5bと、一対の電極5a、5bを絶縁するゲート絶縁膜2を介して一対の電極5a、5b間上部に形成される水素ガスを検知するための検知膜8と、ゲート絶縁膜2と対向して半導体基板1の他面に形成される半導体基板1にバイアス電圧を与えるためのゲート電極7とを備え、検知膜8は、水素ガスを吸着してプロトン(H+)と電子(e)に解離する作用を有する触媒と当該作用で生じたプロトン(H+)と電子(e)との反応によって検知膜の電位が変化する金属酸化物からなり、前記触媒は、前記検知膜を構成する金属酸化物の粒子より径の小さい粒子を前記金属酸化物の粒子上に分散担持する粒子構造を有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水素ガスを検知する水素ガス検知センサであって、 半導体基板上に形成される一対の電極と、 前記一対の電極を絶縁するゲート絶縁膜を介して前記一対の電極間上部に形成される水素ガスを検知するための検知膜と、 前記ゲート絶縁膜と対向して前記半導体基板の他面に形成される前記半導体基板にバイアス電圧を与えるためのゲート電極と、 を備え、 前記検知膜は、水素ガスを吸着してプロトン(H+)と電子(e)に解離する作用を有する触媒と当該作用で生じたプロトン(H+)と電子(e)との反応によって検知膜の電位が変化する金属酸化物からなり、 前記触媒は、前記検知膜を構成する金属酸化物の粒子より径の小さい粒子を前記金属酸化物の粒子上に分散担持する粒子構造を有することを特徴とする水素ガス検知センサ。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (2)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C

F-Term (14)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA03 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046FB00 ,  2G046FB02 ,  2G046FE16 ,  2G046FE22 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE44 ,  2G046FE45 ,  2G046FE46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭60-211348号公報
  
• 水素ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-036496   Applicant：松下電器産業株式会社