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J-GLOBAL ID：200903057698996312

液晶表示装置

Inventor： 木村 隆之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996097357
Publication number (International publication number)：1997265114
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 TFTを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、画素電極への信号書き込み速度を向上し、製造歩留を向上する。【解決手段】 TFTのソース電極11、ドレイン電極12を、低抵抗金属層9,9’とTiN層10,10’及び21,21’の多層構造とし、TFTの半導体層と上記電極の低抵抗金属層9との反応をTiN層21,21’により防止してTFTのリークを防止し、TiN層10,10’によりドレイン電極12と画素電極14とのコンタクト抵抗を低減し、さらに、パターニング時の低抵抗金属層9,9’のハレーションによる形状不良を防止する。

Claim (excerpt)：

各画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、上記薄膜トランジスタが半導体層上に絶縁層を介してソース及びドレイン電極を有し、且つ該ドレイン電極上に絶縁層を介して画素電極がオーバーラップし、該ドレイン電極と該画素電極とが絶縁層に形成されたスルーホールを介して接続されており、上記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極が低抵抗金属層上にTiN層を有する多層構造であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N