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J-GLOBAL ID：200903057713823713
半導体レーザ素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995145049
Publication number (International publication number)：1996340151
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】GaAsキャップ層のドーパントZnの異常拡散を防止し、高抵抗の半導体レーザ素子の発生を押さえ、半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されているAlw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層6、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7、第2導電型のGaAsのコンタクト層8が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記電流狭窄層6の2つの区域の選択エピタキシャル成長時のマスクを窒化アルミニウム層10aとする。
Claim (excerpt)：
第1導電型のGaAs基板の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層、第2導電型のGaAsのキャップ層、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されているAlw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層、第2導電型のGaAsのコンタクト層が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記電流狭窄層の2つの区域の選択エピタキシャル成長時のマスクが窒化アルミニウムであることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法
IPC (2)：
FI (2)：
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