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J-GLOBAL ID：200903057715752023

真空蒸着装置

Inventor： 柳 茂
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 江原 省吾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992198011
Publication number (International publication number)：1994041731
Application date： Jul. 24, 1992
Publication date： Feb. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 蒸着材料の蒸発条件や種類、蒸着材料の一部のイオン化に左右されることなく、半導体基板の表面がプラス又はマイナスのいずれにもチャージアップしないようにする。【構成】 真空チャンバ(11)内の蒸着源(13)に電子ビームを入射させて蒸着源(13)を加熱溶融させ、その蒸着源(13)から蒸発した蒸着材料を、これと対向配置した被蒸着物(14)の表面に被着させるものにおいて、蒸着源(13)と被蒸着物(14)との間に、蒸着源(13)から発生して被蒸着物(14)に向かう二次電子の進路を曲げる電磁石(18)を配置し、電磁石(18)への通電の大小によりその磁界(b)の強さを可変とする。尚、被蒸着物(14)と同一状態のチャージアップ量測定用電極板(19)と、そのチャージアップ量を監視するモニタ(20)と、モニタ(20)の検知出力に基づいて、電磁石(18)の磁界(b)の強さを制御する磁力制御器(21)とを具備する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に配置した蒸着源に電子ビームを入射させ、その入射エネルギーにより蒸着源を加熱溶融させ、その蒸着源から蒸発した蒸着材料を、蒸着源と対向配置した被蒸着物の表面に被着させるものにおいて、上記蒸着源と被蒸着物との間での蒸着材料の進路途中に、蒸着源から発生して被蒸着物に向かう二次電子の進路を曲げる磁界発生手段を配置し、その磁界発生手段の磁界の強さを可変としたことを特徴とする真空蒸着装置。