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J-GLOBAL ID：200903057728885391

有機電界効果型トランジスタ

Inventor： 勝原 真央
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005095276
Publication number (International publication number)：2006278692
Application date： Mar. 29, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】溶媒に可溶であり、所謂ウエット・プロセスによって成膜可能である有機半導体分子からチャネル形成領域が構成された有機電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】有機電界効果型トランジスタは、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、チャネル形成領域14及びソース/ドレイン領域15から構成されており、チャネル形成領域14は、4デバイ以上の永久双極子モーメントを有するように化学修飾された有機半導体分子から成り、有機半導体分子を化学修飾する置換基は、好ましくは、電子吸引基である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域、及び、ソース/ドレイン電極から構成された有機電界効果型トランジスタであって、 チャネル形成領域は、4デバイ以上の永久双極子モーメントを有するように化学修飾された有機半導体分子から成ることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (2)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

F-Term (57)：

4C023NA09 ,  4C071AA01 ,  4C071BB01 ,  4C071CC23 ,  4C071CC24 ,  4C071DD40 ,  4C071EE12 ,  4C071FF22 ,  4C071FF23 ,  4C071FF26 ,  4C071GG01 ,  4C071HH12 ,  4C071KK01 ,  4C071LL10 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110QQ14