Pat
J-GLOBAL ID：200903057729951380
光起電力素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991243303
Publication number (International publication number)：1993082813
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、低抵抗化した透明電極、透過率の向上した光起電力素子を提供することまた、ヒートサイクルの耐久性の向上した光起電力素子を提供することにある。【構成】 本発明は、光起電力素子において半導体層と集電電極108との間に鉄原子、クロム原子、ニッケル原子、マンガン原子のうち少なくとも一種の原子が含有または分布して含有している透明電極107を有するものである。
Claim (excerpt)：
導電性表面を有する基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極と、を積層して構成される光起電力素子において、前記透明電極が遷移金属原子を含有する酸化物からなり、該遷移金属原子が不均一に分布していることを特徴とする光起電力素子。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
