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J-GLOBAL ID：200903057731810815

耐熱性フォトレジスト組成物および感光性基材、ならびにネガパターン形成方法

Inventor： 望月 周 ,  東 一美 ,  前田 雅子
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994234562
Publication number (International publication number)：1996095246
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 感度および解像度に優れ、膜減りが少ないレリーフ像を得ることができる耐熱性フォトレジスト組成物、および感光性基材、感光層の形成方法、並びにネガ型パターンの形成方法を提供する。【構成】 分子内にイソイミド単位を有する樹脂成分に、活性光線の照射によって塩基性を呈する光分解性塩基発生剤としてニトロ基を含有する特定のカルバメート誘導体を配合してフォトレジスト組成物とする。支持基材の表面にこの組成物からなる感光層を形成して感光性基材が得られる。上記組成物から得られる感光層を露光、現像することによってネガ型のパターンが形成される。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(化1)にて示されるイソイミド単位を分子内に有する樹脂成分と、【化1】(但し、Ar1 は4価の芳香族残基を、Ar2 は2価の芳香族残基または脂肪族残基を示す。なお、式中の矢印の結合は異性化によって置換可能な結合を意味する。)(B)下記一般式(化2)および/または(化3)にて示されるカルバメート誘導体、【化2】(但し、式中R1 、R2 およびR3 は水素原子またはメトキシ基を、R4 およびR5 は水素原子またはニトロ基であって少なくとも一方はニトロ基を、R6 は水素原子または低級アルキル基を示し、Xはカルバメート結合するための1価アミン残基を示す。)【化3】(但し、式中R1 、R2 およびR3 は水素原子またはメトキシ基を、R4 およびR5 は水素原子またはニトロ基であって少なくとも一方はニトロ基を、R6 は水素原子または低級アルキル基を示し、Yはジカルバメート結合するための2価アミン残基を示す。)を含有してなる耐熱性フォトレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/038 504 ,  C08K 5/205 ,  C08L 79/08 LRB ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/037 501