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J-GLOBAL ID：200903057733516167
高耐圧半導体素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995085569
Publication number (International publication number)：1996288524
Application date： Apr. 11, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】高耐圧ダイオードの耐圧の経時劣化を防止すること【構成】アノード電極10の端部下のn型カソード層1の表面に接触し、かつ熱酸化膜9、CVD酸化膜12によりアノード電極10と絶縁された高抵抗半導体膜8を設ける。
Claim (excerpt)：
高抵抗の第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された第2導電型半導体層と、この第2導電型半導体層の表面に接触するとともに、その端部が前記第2導電型半導体層の端部を越えて前記第1導電型半導体層上にまで延在し、絶縁膜により前記第1導電型半導体層と絶縁された第1の主電極と、前記第1の主電極の端部下の前記第1導電型半導体層の表面に接触するとともに、前記絶縁膜により前記第1の主電極と絶縁された高抵抗半導体膜と、前記第1導電型半導体層に設けられた第2の主電極とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体素子。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 29/91 D
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/91 L
Cited by examiner (6)
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