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J-GLOBAL ID：200903057737519403

光半導体装置

Inventor： 藤 本 英 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018671
Publication number (International publication number)：1999220166
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電流の干渉を生ずることなく、同一基板上にGaN系半導体素子とSiC系半導体素子とを集積化することができる光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 炭化珪素(SiC)による半導体素子をGaN系材料と同じサファイア、スピネル、ScAlMgO4 等の絶縁性酸化物基板上に形成することにより、GaN系半導体レ-ザと受光素子、および電子デバイスをモノリシックに集積化することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性の酸化物の単結晶からなる基板と、前記基板上に形成された、炭化珪素からなる半導体素子と、を備えたことを特徴とする光半導体装置。