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J-GLOBAL ID：200903057740680649
半導体レーザ素子の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134545
Publication number (International publication number)：1993335355
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【構成】 レーザ光を放射する半導体レーザチップを支持体(パッケージ)に装着するために位置決めする。この位置決め工程の際、半導体レーザチップに通電することで発光させる。この発光点位置を計測してレーザチップの位置を検出し、予め調整する。半導体レーザチップの一光出射端面前方に出射光を集光して反射し、再び半導体レーザチップに戻し、このときの半導体レーザの電流、または光出力の変化を検出することで発光点位置を所定の位置へ移動させレーザ素子位置を調整する。【効果】 半導体レーザ素子を発光させて発光点位置を検出しながらダイボンドのための位置決めを行うため、パッケージされた半導体レーザとして発光位置の精度が極めて高いものが得られる。
Claim (excerpt)：
レーザ光を放射する半導体レーザチップを支持体に装着するための位置決め工程において、個々のチップに裁断された半導体レーザチップをステージ上に置き、チップに通電して発光させてその発光出力から発光点位置を検出し、検出結果から半導体レーザチップの位置情報を得ることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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