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J-GLOBAL ID：200903057743125085

放熱性に優れた半導体装置

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001343811
Publication number (International publication number)：2003152138
Application date： Nov. 08, 2001
Publication date： May. 23, 2003
Summary：
【要約】【課題】 放熱性が優れているので大電流駆動が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に複数個の動作電極S,G,Dが形成されている半導体デバイスA1のその表面と、表面に少なくとも動作電極を受容する凹部8aが形成されている放熱基板A2のその表面とを、絶縁膜9を介して接合して成り、かつ、半導体デバイスA1製作時の結晶成長用基板1が除去されている放熱性に優れた半導体装置。
Claim (excerpt)：
表面に複数個の動作電極が形成されている半導体デバイスの前記表面と、表面に少なくとも前記動作電極を受容する凹部が形成されている放熱基板の前記表面とを、絶縁膜を介して接合して成り、かつ、前記半導体デバイス製作時の結晶成長用基板が除去されていることを特徴とする、放熱性に優れた半導体装置。
IPC (6)：
H01L 23/36 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/40 ,  H01L 29/812
FI (5)：
C23C 14/06 A ,  H01L 23/40 F ,  H01L 23/36 C ,  H01L 29/80 B ,  H01L 23/36 M
F-Term (24)：
4K029AA04 ,  4K029BA58 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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