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J-GLOBAL ID：200903057745957843

酸化物半導体並びにこれを有する薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 姜 東 勳 ,  宋 利 憲 ,  朴 永 洙 ,  金 昌 ジョン ,  李 銀 河 ,  李 在 チョル
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008175404
Publication number (International publication number)：2009016844
Application date： Jul. 04, 2008
Publication date： Jan. 22, 2009
Summary：

【課題】GaxInyZnz酸化物及び新たな物質を含む酸化物半導体及び薄膜トランジスタのチャンネルとしてGaxInyZnz酸化物及び新たな物質を付加して、その特性を向上させた酸化物半導体を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体であって、GaxInyZnz酸化物に、4A族物質、4A族物質の酸化物、及び希土類物質からなる群より選択される少なくとも1つの物質が含まれる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体であって、 GaxInyZnz酸化物に、4A族物質、4A族物質の酸化物、及び希土類物質からなる群より選択される少なくとも1つの物質が含まれることを特徴とする酸化物半導体。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (19)：

5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07