薄膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003272745
Publication number (International publication number)：2005029862
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】 Mo合金膜を大面積に再現性良く形成できるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、かつ抗折力が300MPa以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。また、上記の薄膜形成用スパッタリングターゲットの金属組織は、結晶粒径が300μm以下である。また、Mo、Tiの単独相および拡散相からなる金属組織、またはMo、Tiで構成される拡散相からなる金属組織を有する薄膜形成用スパッタリングターゲットである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にMo合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットにおいて、その組成が、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなり、相対密度が95%以上であり、抗折力が300MPa以上であることを特徴とする薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (2)：

C23C14/34 , C22C27/04

FI (2)：

C23C14/34 A , C22C27/04 102

F-Term (9)：

4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

液晶表示装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-089437 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

薄膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-129538 Applicant：日立金属株式会社

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