Ga添加多結晶シリコンおよびGa添加多結晶シリコンウエーハ並びにその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000061435
Publication number (International publication number)：2001064007
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】光劣化を生じることなく光エネルギーの変換効率が安定した太陽電池を作製するための多結晶シリコンおよび多結晶シリコンウエーハ、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコンであって、ドープ剤としてGa(ガリウム)を添加した多結晶シリコン、および多結晶シリコンの製造方法において、加熱溶融されたルツボ内のシリコン融液にGaを添加した後、前記シリコン融液を冷却することによって多結晶シリコンを育成するGa添加多結晶シリコンの製造方法。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコンであって、ドープ剤としてGa(ガリウム)を添加したことを特徴とする多結晶シリコン。

IPC (3)：

C01B 33/02 , H01L 21/208 , H01L 31/04

FI (3)：

C01B 33/02 Z , H01L 21/208 Z , H01L 31/04 X

F-Term (23)：

4G072AA01 , 4G072BB12 , 4G072GG01 , 4G072HH01 , 4G072JJ07 , 4G072MM38 , 4G072NN01 , 4G072QQ09 , 4G072RR12 , 4G072UU02 , 5F051AA03 , 5F051CB04 , 5F051DA03 , 5F051HA01 , 5F053AA11 , 5F053BB04 , 5F053BB13 , 5F053DD01 , 5F053FF04 , 5F053GG02 , 5F053JJ01 , 5F053LL05 , 5F053RR07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

太陽電池の製造方法及びそれに供されるスパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-349637 Applicant：キヤノン株式会社
BSF型太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-243040 Applicant：東燃株式会社
シリコン薄板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347767 Applicant：東燃株式会社

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