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J-GLOBAL ID：200903057757058500

クラックストッパを形成する方法

Inventor： アレクサンダー エル ミトヴァルスキー ,  ツェ-チアン チェン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  インターナショナル ビジネス マシーンズ コーポレーション
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998072194
Publication number (International publication number)：1998270388
Application date： Mar. 20, 1998
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ダイシングにより発生するクラックおよび欠けがICの有効領域に伝播しないようにするためのクラックストッパを形成する方法を提供する。【解決手段】 集積回路を有する半導体ウェーハを提供し、前記集積回路が、誘電体層を有するチャネルをダイシングすることにより分離させられるようになっており、集積回路を分離するためにウェーハをダイシングするときに生じるクラックの形成を抑制するために、チャネル218の縁部に誘電体材料における不連続250を形成し、該不連続を形成するために付加的な処理が必要とされないように、前記不連続を、集積回路を製造する工程の一部として製造する。

Claim (excerpt)：

集積回路の製造時に、クラックの伝播を減じるクラックストッパを形成する方法において、集積回路を有する半導体ウェーハを提供し、前記集積回路が、誘電体層を有するチャネルをダイシングすることにより分離させられるようになっており、集積回路を分離するためにウェーハをダイシングするときに生じるクラックの伝播を抑制するために、チャネルの縁部において誘電体材料に不連続を形成し、該不連続を形成するために付加的な処理が必要とされないように、前記不連続を、集積回路を製造する工程の一部として製造することを特徴とする、クラックストッパを形成する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-312257   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-293707   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション