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J-GLOBAL ID：200903057765245904

ショットキーバリアダイオード

Inventor： 宮坂 靖
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996329395
Publication number (International publication number)：1998173205
Application date： Dec. 10, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ガードリング構造を有するショットキーバリアダイオードに関し、低い順方向降下電圧を保ちながら、アバランシェ降伏が起きて高電流が素子に流れても、エネルギ破壊を起こさないようにすることを目的とする。【解決手段】 ガードリング領域16の拡散層の表面における不純物濃度を5×1017/cm3 以下に下げて濃度勾配を緩くし、拡散層の深さxを1.5μm以下に小さくすることで、ガードリング領域16で起きていた破壊がN- 層14で起きるようになって破壊されにくくなる。また、N- 層14の厚さwは、ρをN- 層14の比抵抗、およびVを最大印加電圧とするとき、少なくともx+0.55×(ρ×V)1/2 で与えられる値にすることにより、厚さwを必要な耐圧から得られる最小の値にすることができ、順方向降下電圧を最小にすることが可能になる。

Claim (excerpt)：

ガードリング構造を有するショットキーバリアダイオードにおいて、ガードリング領域である第1導電型の拡散層の不純物表面濃度を、5×1017/cm3 以下にし、前記拡散層が形成される第2導電型の低濃度層を、逆方向最大電圧印加時に低濃度層側の空乏層が基板の第2導電型の高濃度層に達しない厚さにしたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。

FI (2)：

H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 G