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J-GLOBAL ID：200903057769276383

プローブピンおよびその製造方法

Inventor： 姫野 哲久 ,  伊東 幸宏 ,  山田 廣志
Applicant, Patent owner： 金井 宏彰
Agent (1)： 進藤 純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003337112
Publication number (International publication number)：2005106497
Application date： Sep. 29, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】 WまたはRe-W合金製のプローブピンのハンダ付け性を十分良好なものとする。【解決手段】 WまたはRe-W合金製のプローブピンのピン胴部外表面に、ハンダ付け性が良好なキュプロニッケル合金層3を形成する。そのため、プローブピンの本体2のWまたはRe-W合金の表面にNi(ニッケル)メッキを施して厚さ例えば2μmのNiメッキ層4を設け、さらにそのNiメッキ層4の表面にCuメッキを施して厚さ例えば2μmのCuメッキ層5を設ける。そして、これを加熱し、拡散焼鈍することにより、キュプロニッケル合金層3を得る。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体ウエハー上の集積回路の通電検査のためのプローブカードに配設されるプローブピンであって、タングステンまたはレニウムタングステンを母材とし、ピン胴部外表面にキュプロニッケル合金層を有することを特徴とするプローブピン。

IPC (3)：

G01R1/067 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

FI (3)：

G01R1/067 J ,  G01R31/26 J ,  H01L21/66 B

F-Term (11)：

2G003AA10 ,  2G003AG03 ,  2G003AG04 ,  2G011AA02 ,  2G011AA17 ,  2G011AE03 ,  2G011AF07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106DD03 ,  4M106DD10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 絶縁被覆プローブピン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-129368   Applicant：金井宏彰