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J-GLOBAL ID：200903057772786775

薄膜構造素子の形成方法

Inventor： 青木 真金 ,  磯部 民 ,  藤田 俊介
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991220521
Publication number (International publication number)：1993029298
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】大きいテーパー比を有し、効率の良い導波光結合等を得られるテーパー構造を備えた薄膜構造素子の形成方法を提供する。【構成】基板13上にフッ酸系溶液によりエッチングされる誘電体層14を形成し、この誘電体層上にSiH4とNH3とN2O と不活性キャリアガスとを有する原料ガスを用いてプラズマCVD法により誘電体層14よりも大きなエッチレートを有するシリコンオキシナイトライド層(SiON層)15を形成し、このSiON層上にマスク16を形成し、このマスクを用いてフッ酸系溶液によってSiON層15と誘電体層14とを選択的にエッチングすることによりテーパー構造を有する薄膜構造素子を作製する。【効果】SiON層のエッチレートが下地の誘電体層に対して色々な値を選択できるため、テーパー比が1:1から1:30程度までの幅広いテーパー構造を有する薄膜構造素子を形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上にフッ酸系溶液によりエッチングされる誘電体層を形成し、この誘電体層上にSiH4とNH3 とN2Oと不活性キャリアガスとを有する原料ガスを用いてプラズマCVD法により前記誘電体層よりも大きなエッチレートを有するシリコンオキシナイトライド層を形成し、このシリコンオキシナイトライド層上にマスクを形成し、このマスクを用いて前記フッ酸系溶液によって前記シリコンオキシナイトライド層と前記誘電体層とを選択的にエッチングすることにより、テーパー構造を有する薄膜構造素子を作製することを特徴とする薄膜構造素子の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭60-010644
  
• 特開平2-130924
  
• 特開平1-289902
  
• 特開平1-095524
  
• 特開昭63-283028