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J-GLOBAL ID：200903057773583339

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子

Inventor： 趙 性來 ,  李 忠滿 ,  李 ▲進▼一 ,  林 尚郁 ,  朴 恵英 ,  朴 瑛琳
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007111478
Publication number (International publication number)：2007294964
Application date： Apr. 20, 2007
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。【解決手段】相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。これによって、相変化記憶素子の特性低下を防止し、高集積化及び低消費電力化の少なくともいずれか一方に最適化された相変化記憶素子を実現することができる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

絶縁体及び導電体を有する基板を準備する段階と、 前記基板を工程ハウジング内にローディングする段階と、 前記工程ハウジング内に蒸着ガスを注入して前記導電体の露出した面上に選択的に相変化物質層を形成する段階と、 前記工程ハウジングから前記基板をアンローディングする段階と、 を含み、 前記蒸着ガスが前記工程ハウジング内で存在するライフタイムは、前記蒸着ガスが熱エネルギーによって反応するのに必要である時間より短いことを特徴とする相変化物質層の形成方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/04

FI (3)：

H01L27/10 448 ,  C23C16/44 A ,  C23C16/04

F-Term (25)：

4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA04 ,  4K030BA09 ,  4K030BA15 ,  4K030BA16 ,  4K030BA25 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA15 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR38